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晶圆凸块技术可在半导体封装中提供显著的性能、外形尺寸和综合成本优势。在晶圆凸块的众多合金材料和工艺与质量方面拥有丰富的经验，包括采用共晶、无铅和铜柱合金的印刷凸块、锡球或电镀技术。目前的晶圆凸块产品包括200mm 和 300mm 晶圆尺寸的晶圆直接凸块、重布线凸块和扇出型凸块，以提供完整的一站式先进倒装芯片封装和晶圆级封装解决方案。
在倒装芯片封装中，硅片使用焊接凸块而非焊线直接固定在基材上，从而提供密集的互连，具有更高的带宽和更快的数据速率，并提高了电气性能和散热性能。焊接凸块和/或铜柱凸块以网格阵列模式放置在器件的有效面，可以直接放置在 I/O 焊盘上，也可以从这些焊盘上布线。只有当凸块正好在它们所连接的电子单元上（I/O 接点凸块）时，倒装芯片技术才能有效实现。倒装芯片工艺在凸块周围的开放空间内或芯片表面和电路板之间的间隙内，使用毛细底部填充材料 (CUF) 或模塑底部填充材料 (MUF)，以产生高度可靠和稳定的结构。在消费、网络、计算、移动和汽车市场上，倒装芯片互连是一系列应用中的关键技术。
晶圆级封装 (WLP) 可在小、轻、薄的器件中提供更高的性能、功能和速度。晶圆级封装类似于倒装芯片封装：它们都利用晶圆凸块来与电路板互连。倒装芯片互连通常使用较小的焊接凸块，晶圆级封装则使用较大的焊接凸块，且无填充材料。很多晶圆级封装采用再钝化层作为凸块下方电路的应力缓冲层。基于性价比，在优化晶圆级封装设计方面，有很多的可变因素。晶圆级封装是一种既适用于移动和手持设备等成熟市场，也适用于物联网 (IoT)、可穿戴设备和汽车电子等新兴市场的成功解决方案。
